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TRANSISTOR MOSFET N-CANAL-CANAL; 200V 18A; 3-PIN TO-220; IRF640NPBF
S/4.00
IRF640NPBF
Marca: IR
Tipo de paquete: TO-220
Corriente de drenaje continua: 18 (A)
Fuente de drenaje en voltaje: 200(V)
Incluye IGV
Availability: 100 disponibles
Detalles del producto
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 150 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Altura | 8.77mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |